IGBT-инвертор

  • 30 марта 2018 15:03:08
  • Отзывы : 0
  • Просмотров: 411
  • 0

Многие производители, в том числе и ПАТОН, в качестве преимущества их оборудования указывают, что оно изготовлено по IGBT-технологии. В этой статье мы постараемся разобраться, какими конкретно преимуществами обладают такие инверторы.

Технология MOSFET была разработана примерно полвека назад, IGBT — более современная и экономичная — имеет множество преимуществ по сравнению с MOSFET. В инверторе на 200 А можно встретить до 24 одинаковых силовых транзисторов MOSFET и в разы меньшее количество транзисторов IGBT (обычно около десятка). Инверторные аппараты IGBT способны работать при значительно большей частоте (60-85 кГц), чем MOSFET, что еще более снижает вес аппарата. Объясняется это тем, что транзисторы IGBT обладают большим током коммутации, соответственно могут пропустить через себя большие токи, поэтому и требуется меньшее их количество.

От количества транзисторов зависят размеры алюминиевых радиаторов. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. д. MOSFET здесь однозначно проигрывает.

Температура срабатывания термозащиты у IGBT-транзисторов составляет порядка 90 °С против 60 °С у MOSFET, это напрямую влияет на продолжительность непрерывной работы инвертора.

Что касается ремонтопригодности, тут мнения «сервисменов» кардинально различаются. Некоторые считают, что компактный и имеющий меньшее количество деталей и силовых транзисторов IGBT-инвертор чинить проще, другие — что более ремонтопригоден аппарат, выполненный по технологии MOSFET, с более крупными деталями и свободной компоновкой. К тому же производители выпускают различные IGBT-аппараты, порой со сложной компоновкой и трудным доступом к отдельным деталям. В любом случае, если придерживаться мнения «чем меньше деталей — тем меньше вероятность поломки», следует обратить внимание на инверторы IGBT.

Также в качестве одного из основных недостатков транзисторов MOSFET отмечается их каскадный выход из строя при неисправности одного транзистора, т.е. необходима замена всех при выходе из строя одного.

Необходимо отметить, что все инверторы ПАТОН выполнены по IGBT-технологии. Это одни из самых маленьких и легких аппаратов, представленных в данное время на рынке. Все аппараты обладают высоким значением продолжительности нагрузки (ПН): 70% - у аппаратов серии PRO и 45% - у аппаратов серии ЕСО. Сроки гарантии на инверторы ПАТОН достигают 5 лет, что говорит о высоком качестве сборки, что позволяет в полной мере использовать преимущества IGBT транзисторов.

 
 
Метки: ПАТОН, ММА, ВДИ